С 19 по 23 июня представители «Сколково» - руководство, резиденты и партнеры приняли участие более чем в двух десятках мероприятий деловой программы Форума. Достижения участников Инновационного Центра были представлены в формате "супермаркета стартапо
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 22 июня. /ИТАР-ТАСС/. Корпорация IBM, фонд "Сколково", "Ростелеком", Российская венчурная компания, РОСНАНО и ITFY подписали шестистороннее соглашение о сотрудничестве в вопросах создания экосистемы для развития российской индустрии микроэлектроники. Подписание состоялось в рамках Петербургского международного экономического форума. Соглашение предусматривает создание совместного центра электронных технологий и развертывание облачной среды для разработки и дизайна микроэлектронных чипов, сенсоров и элементов устройств.
Подписи в соглашении поставили старший вице-президент IBM S&D Бруно Ди Лео, генеральный директор IBM в России и СНГ Кирилл Корнильев, президент Фонда "Сколково" Виктор Вексельберг, председатель правления ОАО "РОСНАНО" Анатолий Чубайс, генеральный директор ОАО "РВК" Игорь Агамирзян, президент, председатель правления ОАО "Ростелеком" Александр Провоторов, председатель совета директоров ООО "АйТиФай" Евгений Бабаян. "Первый этап "облака" будет запущен в эксплуатацию в ноябре, - отметили подписанты. - Доступ к этому "облаку" не ограничен территорией России. Специалисты, находящиеся в разных уголках планеты, смогут делать общее дело".
По словам главы фонда "Сколково" Виктора Вексельберга, соглашение поможет создать качественную индустрию разработки микросхем, ориентированную на глобальный рынок и предоставит доступ к мировым технологиям. "Мы создаем инструмент, который придаст существенное ускорение развитию микроэлектроники", - отметил Вексельберг. По его словам, соглашение позволит решить вопрос, связанный с легальным использованием разработок. Он надеется, что создаваемый центр электронных технологий превратится в крупный центр компетенций. Глава РОСНАНО Анатолий Чубайс, в свою очередь, отметил, что развитие сферы дизайна микрочипов позволит загрузить производственную базу 90-нанометровых чипов.